离心铸造_双反应台节约占地面积同时具备成

　　全球半导体市场2021年增长势头强劲，预计2022年将延续。当前半导体行业景气度持续向上，芯片供给短缺状态持续，驱动芯片商上修资本支出计划，推进扩产提升产能。ICInsight预计2022年半导体行业资本支出还将继续增长24%，进一步提振设备需求，SEMI预计2022年全球半导体制造设备市场总额将扩大到1070亿美元，同比增长18%。根据Frost&Sullivan，我国集成电路市场规模2015年至2019年CAGR为20%，预计2022年市场将破万亿，离心铸造但2020年我国IC自给率仅为15.9%，不仅影响我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成重大隐患，美国制裁和挤压事件进一步激发国内商危机意识，自主可控的重要性得到凸显，国产新机台的验证工作有望积极推进，设备国产化势在必行。

　　随着先进制程发展，线nm以下的逻辑器件微观加工结构多通过多重模板工艺实现，带来刻蚀环节工艺数量提升，28nm逻辑器件中刻蚀步骤约40左右，到5nm刻蚀步骤超过160；芯片结构3D化发展，堆叠结构增加刻蚀难度，带来刻蚀环节价值量提升，3D结构中刻蚀环节价值量占比达50%远高于平面结构；中微紧跟先进制程工艺发展，刻蚀设备量价提升有望打开长期增长空间。

　　CCP刻蚀设备领域，技术处于国内国际水平，在逻辑电路5nm及以下产线已取得重复订单，在部分关键客户市场占有率已进入前三位甚至前两位；在3DNAND芯片64层和128层产线中重复订单稳步增长。大马士革工艺的研发推进有望进一步加深CCP刻蚀设备技术护城河，提升产线渗透率。

　　ICP刻蚀设备领域，截至2021年底，PrimoNanova已经顺利交付超过180台反应腔，且在客户端完成验证的应用数量也在持续增加。PrimoTwin-Star（2021年上半年发布）已经在客户端完成认证，并收到来自国内客户的订单。

　　2021年共生产交付ICP刻蚀设备134腔，产量同比增长235%，发展势头强劲。未来ICP设备有望继续推进产线验证，随着研发推进，在ICP刻蚀工艺覆盖占比增加，叠加先进制程中FEOL环节难度提升带来的ICP刻蚀设备市场份额提升，离心铸造未来ICP刻蚀设备或有望成为业绩主要增长点。具备较强服务优势及高性价比优势，双反应台节约占地面积同时具备成本优势，离心铸造受益于下游国内企业扩产，有望加速进行进口替代。

　　2020年以来，MiniLED应用开始小幅增加，2021年随着规模效应和良率提升带来的成本下降，上下游持续推进MiniLED产业化应用，MiniLED进入商业发展快车道。中微抓住MiniLED市场机遇，通过效率和技术优势，2021年MOCVD设备毛利率大幅回升至33.8%，未来随着MiniLED市场的快速发展，叠加中微的MOCVD设备良率进步，设备订单量有望不断增加。截至2021年年底，PrismoUnimax订单已经超过100腔，2022年3月收到兆驰股份52腔采购订单，累计订单超180腔。

　　在夯实主业发展的同时，中微持续进行平台化布局，推进外延式发展。一方面基于自身技术相通性，中微进入化学沉积薄膜设备及外延生产设备领域，目前已开始自主研发EPI外延设备和LPCVD设备，参股PECVD设备领域拓荆科技、光伏电池及平板显示屏用PECVD领域理想万里晖，以及镀膜和膜层改性设备领域SOLAYER，形成业务协同；另一方面中微通过外延式发展参股睿励，加速半导体检测设备领域布局等，持续打造综合性半导体设备龙头。

　　预计2022-2024年收入分别为45.2/61.2/80.7亿元，归母净利润分别为12.3/16.0/19.3亿元，对应当前股价对应PE分别为55、43、35倍。考虑到在半导体设备的刻蚀领域的龙头地位，以及MOCVD设备在MiniLED领域的逐步放量，叠加致力于打造平台型，将逐步成长为全球有影响力的半导体设备，维持“推荐”评级。

　　半导体设备行业研发投入巨大，在研发失败或产品推向市场后不能满足客户需求风险；全球半导体产业向中国大陆转移进程减缓风险；募投项目进度不达预期；中美贸易摩擦加剧；零部件供给短缺风险等。
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